IXFL40N110P دیتاشیت

IXFL40N110P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFL40N110P
حجم فایل 185.341 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت IXFL40N110P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™, PolarP2™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): -
  • Operating Temperature: -
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: ISOPLUS264™
  • Package / Case: ISOPLUS264™
  • detail: N-Channel 1100V 21A (Tc) Through Hole ISOPLUS264™

محصولات مشابه